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NCEP026N10M

更新时间： 2024-03-03 10:11:11

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	352K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP026N10M 数据手册

NCEP026N10M, NCEP026N10MD

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_C-Case Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 Power De-rating

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_C-Case Temperature (℃)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Current De-rating

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page4

V1.0

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCEP026N10T	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP026N85	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
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