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NCEP02T10LL

更新时间： 2024-11-22 15:18:55
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 790K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
NCEP02T10LL  
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET  
Description  
General Features  
The series of devices uses Super Trench technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
● VDS =200V,ID =100A  
RDS(ON)=9.0mΩ , typical@ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● 100% UIS Tested  
● DC/DC Converter  
● 100% ΔVds Tested  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
TOLL-8L  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP02T10LL  
NCEP02T10LL  
TOLL-8L  
Ø330mm  
24mm  
2000 units  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
200  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
100  
80  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
400  
400  
2.67  
1216  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.38  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP02T10T NCEPOWER

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NCEP02T11D NCEPOWER

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NCEP030N12D NCEPOWER

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