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NCE60TD60BP

更新时间: 2024-04-09 19:00:02
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1658K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(InjectionEnhance,IE)与场截止(FieldStop,FS)技术,新洁能IGBT系列产品在提供行业

NCE60TD60BP 数据手册

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Pb Free Product  
NCE60TD60BP  
Electrical Characteristics of the Diode (TC= 25°C unless otherwise specified)  
Rating  
Typ.  
1.75  
186  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Units  
Min.  
Max.  
2.40  
--  
VFM  
Trr  
Diode Forward Voltage  
IF=60A  
--  
--  
--  
--  
V
ns  
A
Reverse Recovery Time  
IF=60A,  
IRRM  
Qrr  
Diode Peak Reverse Recovery Current  
Reverse Recovery Charge  
3.8  
--  
di/dt=200A/us  
0.3  
--  
uC  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V2.0  
3
http://www.ncepower.com  

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