5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NAND256W4M0BZB5E
NAND256W4M0BZB5E PDF预览

NAND256W4M0BZB5E

更新时间： 2024-11-17 03:17:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存动态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 229K
描述
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

阅读下载

中文翻译

获取价格

NAND256W4M0BZB5E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
JESD-30 代码：R-PBGA-B107内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：FLASH+SDRAM端子数量：107
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA107,10X14,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH电源：3 V
认证状态：Not Qualified子类别：Other Memory ICs
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
温度等级：OTHER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

NAND256W4M0BZB5E 数据手册

 浏览型号NAND256W4M0BZB5E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NAND256W4M0BZB5E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NAND256W4M0BZB5E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NAND256W4M0BZB5E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NAND256W4M0BZB5E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NAND256W4M0BZB5E的Datasheet PDF文件第7页 
NAND256-M  
NAND512-M, NAND01G-M  
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND  
Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP  
Features  
■ Multi-Chip Packages  
FBGA  
– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND  
Flash + 1 die of 256 Mb (x16) SDR  
LPSDRAM  
– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND  
Flash + 2 dice of 256 Mb (x16) SDR  
LPSDRAMs  
TFBGA107 10.5 x 13 x 1.2mm  
TFBGA149 10 x 13.5 x 1.2mm  
LFBGA137 10.5 x 13 x 1.4mm  
TFBGA137 10.5 x 13 x 1.2 mm(1)  
– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND  
Flash +1 die of 256 Mb (x16) DDR  
LPSDRAM  
– 1 die of 512 Mb (x16) NAND Flash + 1 die  
of 256 Mb or 512 Mb (x16) DDR LPSDRAM  
■ Supply voltages  
(1) Preliminary specifications.  
– V  
– V  
= 1.7V to 1.95V or 2.5V to 3.6V  
DDF  
DDD  
■ Fast Block Erase  
= V  
= 1.7V to 1.9V  
DDQD  
– Block erase time: 2ms (typ)  
■ Electronic Signature  
®
■ Status Register  
■ ECOPACK packages  
■ Data integrity  
■ Temperature range  
– 100,000 Program/Erase cycles  
– 10 years Data Retention  
– -30 to 85°C  
Flash Memory  
LPSDRAM  
■ NAND Interface  
■ Interface: x16 or x 32 bus width  
■ Deep Power Down mode  
■ 1.8v LVCMOS interface  
– x8 or x16 bus width  
– Multiplexed Address/ Data  
■ Page size  
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
– x16 device: (256 + 8 spare) Words  
■ Quad internal Banks controlled by BA0 and  
BA1  
■ Automatic and controlled Precharge  
■ Block size  
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
– x16 device: (8K + 256 spare) Words  
■ Auto Refresh and Self Refresh  
– 8,192 Refresh cycles/64ms  
– Programmable Partial Array Self Refresh  
■ Page Read/Program  
– Auto Temperature Compensated Self  
Refresh  
– Random access: 15µs (max)  
– Sequential access: 50ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ Wrap sequence: sequential/interleave  
■ Burst Termination by Burst Stop command and  
■ Copy Back Program mode  
Precharge command  
– Fast page copy without external buffering  
August 2006  
Rev 5  
1/23  
www.st.com  
2
1234567...23

中文翻译

下载PDF

与NAND256W4M0BZB5E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND256W4M0BZB5F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M0BZC5E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M0BZC5F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M0CZB5E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M0CZB5F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M0CZC5E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M0CZC5F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M2AZB5E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M2AZB5F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND256W4M2AZC5E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.

与NAND256W4M0BZB5E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证