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NAND01GW4A3BN6E

更新时间： 2024-11-05 13:39:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 142K
描述
Flash, 64MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48

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NAND01GW4A3BN6E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.12
Is Samacsys：N最长访问时间：12000 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：67108864 words字数代码：64000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

NAND01GW4A3BN6E 数据手册

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NAND FLASH  
528 Byte, 264 Word Page Family  
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)  
1.8V, 3V Supply Flash Memories  
DATA BRIEFING  
FEATURES SUMMARY  
■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES  
– Up to 1 Gbit memory array  
Figure 1. Packages  
– Up to 32Mbit spare area  
– Cost effective solutions for mass storage ap-  
plications  
■ NAND INTERFACE  
– x8 or x16 bus width  
TSOP48  
– Multiplexed Address/ Data  
– Pinout compatibility for all densities  
■ SUPPLY VOLTAGE  
12 x 20 mm  
FBGA  
– 1.8V device: V = 1.65 to 1.95V  
CC  
– 3.0V device: V = 2.7 to 3.6V  
CC  
■ PAGE SIZE  
VFBGA63 8.5x15x1 mm  
TFBGA63 8.5x15x1.2 mm  
VFBGA63 9x11x1 mm  
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
– x16 device: (256 + 8 spare) Words  
■ BLOCK SIZE  
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
– x16 device: (8K + 256 spare) Words  
■ PAGE READ / PROGRAM  
– Random access: 12µs (max)  
– Sequential access: 50ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ COPY BACK PROGRAM MODE  
– Fast page copy without external buffering  
■ CACHE PROGRAM MODE  
■ AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP  
OPTION  
– Boot from NAND support  
– Automatic Memory Download  
■ SERIAL NUMBER OPTION  
■ HARDWARE DATA PROTECTION  
– Program/Erase locked during Power transi-  
tions  
■ DATA INTEGRITY  
– 100,000 Program/Erase cycles  
– 10 years Data Retention  
■ DEVELOPMENT TOOLS  
– Internal Cache Register to improve the pro-  
gram throughput  
■ FAST BLOCK ERASE  
– Error Correction Code software and hard-  
ware models  
– Block erase time: 2ms (Typ)  
■ STATUS REGISTER  
– Bad Blocks Management and Wear Leveling  
algorithms  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
■ CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION  
– Simple interface with microcontroller  
– PC Demo board with simulation software  
– File System OS Native reference software  
– Hardware simulation models  
August 2003  
1/5  
For further information please contact the STMicroelectronics distributor nearest to you.  
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与NAND01GW4A3BN6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW4A3BN6F STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 64MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND01GW4A3CZA1T STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 64MX16, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
NAND01GW4A3DN1E STMICROELECTRONICS

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 		64MX16 FLASH 3V PROM, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
NAND01GW4A3DZA6E STMICROELECTRONICS

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 		Flash, 64MX16, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
NAND01GW4B STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW4B2AN1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW4B2AN1E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
NAND01GW4B2AN1T STMICROELECTRONICS

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 		64MX16 FLASH 3V PROM, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
NAND01GW4B2AN6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW4B2AN6E STMICROELECTRONICS

获取价格

 		64MX16 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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