NAND01GW3B2BN6F

更新时间： 2024-02-25 05:45:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
62页	713K
描述
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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NAND01GW3B2BN6F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.83
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

NAND01GW3B2BN6F 数据手册

NAND01G-B2B, NAND02G-B2C

List of tables

Table 1.

Table 2.

Table 3.

Table 4.

Table 5.

Table 6.

Table 7.

Table 8.

Product List. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Product Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

Signal Names . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Valid Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Bus Operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x8 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

Address Insertion, x16 Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Address Definitions, x16 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Copy Back Program x8 Addresses. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Copy Back Program x16 Addresses. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

Status Register Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

Electronic Signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

Electronic Signature Byte/Word 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

NAND Flash failure modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

Operating and AC Measurement Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

DC Characteristics, 1.8V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

DC Characteristics, 3V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44

AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

AC Characteristics for Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20 mm, Package Mechanical Data. . . 57

VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . 58

VFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data . . . 59

Ordering Information Scheme. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

Table 9.

Table 10.

Table 11.

Table 12.

Table 13.

Table 14.

Table 15.

Table 16.

Table 17.

Table 18.

Table 19.

Table 20.

Table 21.

Table 22.

Table 23.

Table 24.

Table 25.

Table 26.

Table 27.

Table 28.

Table 29.

Table 30.

5/62

1 2 3 456 7 8...62

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与NAND01GW3B2BN6F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NAND01GW3B2BN6T	STMICROELECTRONICS	暂无描述	获取价格
NAND01GW3B2BV1	NUMONYX	128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48	获取价格
NAND01GW3B2BV1F	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-	获取价格
NAND01GW3B2BV1T	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48	获取价格
NAND01GW3B2BV6	NUMONYX	128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48	获取价格
NAND01GW3B2BV6E	NUMONYX	Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-	获取价格

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