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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
光电二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 57页 | 887K |  |
| 描述 | ||
| Flash, 128MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 | ||
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.09 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NAND01GW3B2BN6 | STMICROELECTRONICS | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND01GW3B2BN6E | STMICROELECTRONICS | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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| NAND01GW3B2BN6E | NUMONYX | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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|
| NAND01GW3B2BN6F | NUMONYX | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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|
| NAND01GW3B2BN6F | STMICROELECTRONICS | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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|
| NAND01GW3B2BN6T | STMICROELECTRONICS | 暂无描述 |
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