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N256S0830HDAT2-20I

更新时间： 2024-11-29 15:45:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	201K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8

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N256S0830HDAT2-20I 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	TSSOP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.65
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.4 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

N256S0830HDAT2-20I 数据手册

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AMI Semiconductor, Inc.

IMD - Medical Business Unit

650 N. Mary Ave.

N256S0818HDA/N256S0830HDA

Sunnyvale, CA 94085

PH: 408-962-1900, FAX: 408-962-1997

256Kb Low Power Serial SRAMs

32K × 8 bit Organization

Overview

Features

The AMI Semiconductor serial SRAM family

includes several integrated memory devices

including this 256Kb serially accessed Static

Random Access Memory, internally organized as

32K words by 8 bits. The devices are designed and

fabricated using AMI’s advanced CMOS

• Power Supply Options

1.8V and 3.3V

• Very low standby current

Typical Isb as low as 200nA

• Very low operating current

As low as 3mA

technology to provide both high-speed

performance and low power. The devices operate

with a single chip select (CS) input and use a

simple Serial Peripheral Interface (SPI) serial bus.

A single data in and data out line is used along with

a clock to access data within the devices. The

N256S08xxHDA devices include a HOLD pin that

allows communication to the device to be paused.

While paused, input transitions will be ignored.

The devices can operate over a wide temperature

• Simple memory control

Single chip select (CS)

Serial input (SI) and serial output (SO)

• Flexible operating modes

Word read and write

Page mode (32 word page)

Burst mode (full array)

• Organization

32K x 8 bit

range of -40 C to +85 C and can be available in

• Self timed write cycles

several standard package offerings.

• Built-in write protection (CS high)

• HOLD pin for pausing communication

• High reliability

Unlimited write cycles

• RoHS Compliant Packages

Green SOIC and TSSOP

Device Options

Typical

Power

Speed

Read/Write

Part Number

Density

Feature

Standby

Current

Supply (V)

(MHz)

Operating Current

N256S0818HDA

N256S0830HDA

1.8

3.0

200nA

1uA

256Kb

HOLD

3 mA @ 1Mhz

Stock No. 23476-H

The specification is subject to change without notice.

12 3 4 5 6 7...15

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N256S0830HDAT2-20I 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
N25S818HAT21IT	ONSEMI	功能相似	256Kb Low Power Serial SRAMs 32K × 8 bit Orga

与N256S0830HDAT2-20I相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N256S0830HDAT225	AMI	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PDSO8, 4.40 MM, GREEN, PLASTIC, TSSOP-8
N256S0830HDAT2-25I	AMI	获取价格	SRAM,
N256S08XXHDA	AMI	获取价格	256Kb Low Power Serial SRAMs 32K 】 8 bit Orga
N2576	ETC	获取价格	52 KHz 3A Step-Down Switching Voltage Regulator (SVR)
N2576G	ETC	获取价格	52 KHz 3A Step-Down Switching Voltage Regulator (SVR)
N2576G-3.3	ETC	获取价格	52 KHz 3A Step-Down Switching Voltage Regulator (SVR)
N2576G-5	ETC	获取价格	52 KHz 3A Step-Down Switching Voltage Regulator (SVR)
N2576S	ETC	获取价格	52 KHz 3A Step-Down Switching Voltage Regulator (SVR)
N2576S-3.3	ETC	获取价格	52 KHz 3A Step-Down Switching Voltage Regulator (SVR)
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