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N1802NC160

更新时间： 2024-11-05 18:59:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	157K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

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N1802NC160 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

N1802NC160 数据手册

Date:- 02 August 2012

Data Sheet Issue:- 2

Phase Control Thyristor

Types N1802NC120 to N1802NC160

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage, (note 1)

Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)

1200-1600

1300-1700

MAXIMUM

LIMITS

OTHER RATINGS

UNITS

I_T(AV)

I_T(RMS)

I_T(d.c.)

I_TSM

I_TSM2

I²t

Mean on-state current, T_sink=55°C, (note 2)

Mean on-state current. T_sink=85°C, (note 2)

Mean on-state current. T_sink=85°C, (note 3)

Nominal RMS on-state current. T_sink=25°C, (note 2)

D.C. on-state current. T_sink= 25°C, (note 4)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM=0.6V_RRM, (note 5)

Peak non-repetitive surge t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM=0.6V_RRM, (note 5)

I²t capacity for fusing t_p=10ms, V_RM≤10V, (note 5)

Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)

Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)

Peak reverse gate voltage

1802

1216

718

3592

3033

29.6

A²s

A/µs

32.5

4.38×10⁶

5.28×10⁶

500

I²t

(di/dt)_cr

1000

V_RGM

P_G(AV)

P_GM

V_GD

Mean forward gate power

Peak forward gate power

Non-trigger gate voltage, (Note 7)

0.25

T_HS

Operating temperature range

-40 to +125

-40 to +150

°C

T_stg

Storage temperature range

Notes:-

1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for T_jbelow 25°C.

2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Double side cooled.

5) Half-sinewave, 125°C T_jinitial.

6) V_D=67% V_DRM, I_TM=1500A, I_FG=2A, t_r≤0.5µs, T_case=125°C.

7) Rated V_DRM

Data Sheet. Types N1802NC120 to N1802NC160 Issue 2.

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August 2012

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
N1802NS120	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3592A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 101A33
N1802NS120-160	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3592A I(T)RMS, 1500V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element
N1802NS140	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3592A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A33
N1802NS160	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3592A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, 101A33
N1806QK120	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3571A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
N1806QK140	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3571A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element
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