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N1863CH28

更新时间: 2024-11-05 21:10:11
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5589.2A I(T)RMS, 2800V V(DRM), 2800V V(RRM), 1 Element, 101A325, 3 PIN

N1863CH28 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.82
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:300 mAJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:5589.2 A断态重复峰值电压:2800 V
重复峰值反向电压:2800 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

N1863CH28 数据手册

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