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MXSMCJLCE130AE3

更新时间: 2024-09-14 21:05:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 1166K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

MXSMCJLCE130AE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-214AB包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.55其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:159 V最小击穿电压:144 V
击穿电压标称值:151.5 V最大钳位电压:209 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AB
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:130 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MXSMCJLCE130AE3 数据手册

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MXSMCJLCE130AE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMCJ130A-E3/57T VISHAY

类似代替

TVS DIODE 130V 209V DO214AB
SMCJ130A BOURNS

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与MXSMCJLCE130AE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MXSMCJLCE130ATRE3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
MXSMCJLCE130E3 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
MXSMCJLCE130E3/TR MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 130V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
MXSMCJLCE130E3TR MICROSEMI

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1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2
MXSMCJLCE130TR MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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