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MURD320T4G PDF预览

MURD320T4G

更新时间： 2024-11-01 04:08:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管PC超快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
ULTRAFAST RECTIFIER 3.0 AMPERES, 200 VOLTS

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MURD320T4G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.2Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225888
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C
Samacsys Released Date：2016-01-25 14:39:57Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MURD320T4G 数据手册

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MURD320  
Preferred Device  
SWITCHMODEt  
Power Rectifier  
DPAK Surface Mount Package  
http://onsemi.com  
These state−of−the−art devices are designed for use in switching  
power supplies, inverters and as free wheeling diodes.  
ULTRAFAST RECTIFIER  
3.0 AMPERES, 200 VOLTS  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
• Ultrafast 35 Nanosecond Recovery Time  
• Low Forward Voltage Drop  
• Low Leakage  
1
4
3
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded  
• Weight: 0.4 Gram (Approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
MARKING  
DIAGRAM  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
260°C Max. for 10 Seconds  
4
YWW  
U
320  
DPAK  
CASE 369C  
• Available in 16 mm Tape and Reel, 2500 Units Per Reel,  
by Adding a “T4’’ Suffix to the Part Number  
2
1
3
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
200  
V
RRM  
RWM  
R
ORDERING INFORMATION  
Average Rectified Forward Current  
I
3.0  
6.0  
A
A
F(AV)  
†
Device  
Package  
Shipping  
(Rated V , T = 158°C)  
R
C
Peak Repetitive Forward Current  
(Rated V , Square Wave,  
I
FRM  
MURD320T4  
DPAK  
2500/Tape & Reel  
2500/Tape & Reel  
R
MURD320T4G  
DPAK  
20 kHz, T = 158°C)  
C
(Pb−Free)  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, 60 Hz)  
I
75  
A
FSM  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +175  
°C  
stg  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 4  
MURD320/D  
1234

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MURD320T4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RURD420S9A ONSEMI

功能相似

 4A，200V，Ultrafast 二极管
RURD420S9A FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, TO-252, DPAK-3/2
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