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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 8 weeks | 风险等级： | 0.96 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.4 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.385 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MUN5335DW1T2G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bias Resistor Transistors |
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| MUN5335DW1T3 | MOTOROLA |
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100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-01, 6 PIN |
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| MUN5336DW1 | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bias Resistor Transistors |
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| MUN5336DW1T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bias Resistor Transistors |
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| MUN5338DW1T3G | ONSEMI |
获取价格 |
4.7kΩ, 10kΩ Complementary Bias Resistor Trans |
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| MUN53XXDW1T1 | MOTOROLA |
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Dual Bias Resistor Transistors |
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| MUN53XXDW1T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| MUN53XXDW1T1 | LRC |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| MUNICH128X | ETC |
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Protocol Controller |
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| MUPA64K16-15TJC | MUSIC |
获取价格 |
Microprocessor Circuit, CMOS, PQFP128, LQFP-128 |
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