5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MUN5211DW1T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, CASE 41 |
|
| MUN5211T1 | ROCHESTER |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
|
| MUN5211T1 | MOTOROLA |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
|
| MUN5211T1 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
|
| MUN5211T1/D | ETC |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
|
| MUN5211T1_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
|
| MUN5211T1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS |
|
| MUN5211T3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70, |
|
| MUN5211W | ETL |
获取价格 |
Dual Bias ResistorTransistors |
|
| MUN5212 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Bias Resistor Transistors |
|
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
湿度传感器：原理、选型、分类与特性
解读SBAT54SLT1G手册：产品概述、参数分析
MAX232DR资料：引脚说明、产品特性、电气参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
