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MTP2301N3

更新时间： 2024-01-08 19:51:20

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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6页	298K
描述
20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET

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MTP2301N3 数据手册

Spec. No. : C322N3

Issued Date : 2004.04.05

Revised Date :2005.08.23

Page No. : 1/6

CYStech Electronics Corp.

20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET

MTP2301N3

Features

• V_DS=-20V

R_DS(ON)=130m @V_GS=-4.5V, I_DS=-2.8A

R_DS(ON)=190m @V_GS=-2.5V, I_DS=-2A

• Advanced trench process technology

• High density cell design for ultra low on resistance

• Excellent thermal and electrical capabilities

• Compact and low profile SOT-23 package

• Pb-free package

Equivalent Circuit

Outline

MTP2301N3

SOT-23

G：Gate

S：Source

D：Drain

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

VDS

VGS

-20

±8

-2.3

-10

IDM

Ta=25℃

Ta=75℃

Maximum Power Dissipation

1.25

0.8

P^D

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

-55~+150

°C

MTP2301N3

CYStek Product Specification

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