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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP20N06UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP20N06V | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 20 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM |
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| MTP20N06W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP20N06WC | MOTOROLA |
获取价格 |
20A, 60V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP20N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
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| MTP20N08 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 80V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTP20N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
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| MTP20N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP20N10E | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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| MTP20N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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