MTP20N10

更新时间： 2024-02-21 18:08:43

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MTP20N10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	200 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	100 W
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTP20N10E	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
MTP20N10E	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
MTP20N15E	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 20 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220
MTP20N15EG	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，150V，20A，130mΩ，单 N 沟道，TO-220
MTP20N20	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM
MTP20N20E	MOTOROLA	获取价格	TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM
MTP20N20E16	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
MTP20N20EA	MOTOROLA	获取价格	20A, 200V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP20N20EA16A	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
MTP20N20EAF	MOTOROLA	获取价格	20 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB