是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 200 pF |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 300 ns | 最大开启时间(吨): | 500 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP20N10E | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | |
MTP20N10E | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTP20N15E | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220 | |
MTP20N15EG | ONSEMI |
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功率 MOSFET,150V,20A,130mΩ,单 N 沟道,TO-220 | |
MTP20N20 | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM | |
MTP20N20E | MOTOROLA |
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TMOS POWER FET 20 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.16 OHM | |
MTP20N20E16 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTP20N20EA | MOTOROLA |
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20A, 200V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP20N20EA16A | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
MTP20N20EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
20 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |