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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | CURRENT SENSING | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T5 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 150 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTP10N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
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| MTP10N10E | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
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| MTP10N10E16 | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP10N10EA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP10N10EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP10N10EC | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| MTP10N10ED1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTP10N10EL | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS |
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| MTP10N10EL | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N−Channel TO−220 |
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| MTP10N10ELG | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N−Channel TO−220 |
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