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MTMC8E2A

更新时间： 2024-10-15 21:14:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	523K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA MINIATURE, WMINI8-F1, 8 PIN

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MTMC8E2A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.75
配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTMC8E2A 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

MTMC8E2A

Silicon N-channel MOS FET

For lithium-ion secondary battery protection circuit

 Overview

 Package

ꢀCode

The MTMC8E2A is the low ON resistance dual N-channel MOS FET

designed for lithium-ion secondary battery protection circuit.

WMini8-F1

Package dimension clicks here.→

Click!

 Features

 Low drain-source ON resistance: R_DS(on)typ. = 15 mΩ (V_GS= 4.5 V)

ꢀPin Name

1: Source-1

2: Gate-1



Small size surface mounting package: WMini8-F1 (2.9 mm × 2.8 mm × 0.8 mm)

5: Drain

6: Drain

7: Drain

8: Drain

 Drain common 2 elements

 Built-in gate resistor

3: Source-2

4: Gate-2

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

 Marking Symbol: 4B

 Packaging

MTMC8E2A0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Internal Connection

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

(D) (D) (D)

(D)

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

±12

R_g

1 kΩ

7.0

Peak drain current

I_DP

(S1) (G1) (S2) (G2)

P_D1^*

1.0

Power dissipation

P_D2 ^*

1.2

P_D3^*

0.4

Channel temperature

Storage temperature

150

°C

stg

–55 to +150

Note) 1: Glass epoxy board: 25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm

Copper foil of the drain portion should have a area of 300 mm²or more

2: t = 10 s

3: Stand-alone (without the board)

Publication date: January 2012

Ver. EED

12 3 4

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