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MTMF8233

更新时间： 2024-10-16 20:48:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	516K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO8-F1-B, 8 PIN

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MTMF8233 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTMF8233 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon MOS FETs (Small Signal)

MTMF8233

Silicon N-channel MOS FET

For lithium-ion secondary battery protection circuit

 Overview

 Package

ꢀCode

The MTMF8233 is designed for the power management application for

notebook computer and Li-ion battery protection circuit.

SO8-F1-B

ꢀPin Name

1: Source

2: Source

3: Source

4: Gate

 Features

5: Drain

6: Drain

7: Drain

8: Drain

 Low drain-source ON resistance:

R_DS(on)= 1.9 mΩ (typ.) (I_D= 9.0A, V_GS= 10 V)

 Incorporating a built-in gate protection diode

 Thin ﬂat-lead SO8 package (SO8-F1-B)

 Marking Symbol: AC

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

 Internal Connection

±20

(D) (D) (D)

(D)

Peak drain current ^*

I_DP

Avalanche energy capability ^*

EAS

IAS

P_D

200

Avalanche current ^*

Power dissipation ^*

1.0

°C

(S) (S) (S) (G)

Channel temperature

Storage temperature

150

stg

–55 to +150

Note) 1: t = 10 ms, Duty cycle < 1%

2: Avalanche (single pulse)

Conditions: V_DD= 24 V, V_GS= 10 V to 0 V, L = 0.5 mH, T_ch= 25°C

I_D

V_GS

BV_DSS

V_DS

0 V

V_DD

I_D

I_AS

Pulse

V_DD

generator

Avalanche time

3: Mounted on a glass epoxy PC board (25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm)

Publication date: October 2009

SJF00112BED

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MTMF8234	PANASONIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 33V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
MTMG0024	TE	获取价格	Accessories Multimode Relay MT
MTMG0730	TE	获取价格	Accessories Multimode Relay MT
MTML0024	TE	获取价格	Accessories Multimode Relay MT
MTML0730	TE	获取价格	Accessories Multimode Relay MT
MTMM-101-02-F-D-160	SAMTEC	获取价格	Board Stacking Connector, 2 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal,
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MTMM-101-02-F-D-196	SAMTEC	获取价格	Board Stacking Connector, 2 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal,
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