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MTMF8234

更新时间： 2024-10-16 21:15:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	277K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 33V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO8-F1-B, 8 PIN

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MTMF8234 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SO8-F1-B, 8 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	33 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MTMF8234 数据手册

Achieved industry-top-class low on-resistance in flat-lead SO8 package

33V/18A N-channel MOS FET

MTMF8234

Unit ： mm

■Overview

MTMF8234 is N-channel MOS FET that achieved industry-top-

class low-on resistance by the minute process and wireless structure,

and suitable for lithium-ion battery protection circuit and DC/DC

converter . Moreover, flat-lead SO8 package can offer design

variation to the products.

■Feature

• Low on-resistance: typ. 3.5mΩ(VGS=10V,ID=5.0A)

• Flat-lead SO8 package

• Incorporating a built-in gate protection-diode

■Application

• Li-ion battery protection circuit

• DC/DC converter

SO8-F1-B

■Specification

RDS(on) (typ) (mΩ)

VGS=10V

3.5

VDSS

(V)

(A)

VGSS

(V)

Ciss

(pF)

Product

number

Polarity

Nch

Type

Package

SO8-F1-B

VGS=4.5V

6.5

Single

MTMF8234

± 20

4500

■ Internal Circuit

■ Circuit Example

New publication, effective from 23 July 2009

M00920AE

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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