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MTE015N15RFP

更新时间： 2022-02-26 13:45:01

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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8页	601K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE015N15RFP 数据手册

Spec. No. : C838FP

Issued Date : 2016.11.21

Revised Date : 2017.01.04

Page No. : 3/ 8

CYStech Electronics Corp.

Characteristics (Tj=25C, unless otherwise specified)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Static

BV_DSS

∆BV_DSS/∆Tj

V_GS(th)

150

0.1

100

V/C

V_GS=0V, I_D=250μA

Reference to 25C, I_D=250μA

V_DS= V_GS, I_D=250μA

V_DS=10V, I_D=20A

*G_FS

I_GSS

V_GS= 30V

V_DS=120V, V_GS=0V

V_DS=120V, V_GS=0V, Tj=125C

V_GS=10V, I_D=30A

I_DSS

μA

*R_DS(ON)

Dynamic

*Qg

30.8

24.2

63.4

12.4

3578

555

*Qgs

*Qgd

*t_d(ON)

*tr

*t_d(OFF)

*t_f

Ciss

Coss

Crss

I_D=85A, V_DS=75V, V_GS=10V

V_DD=75V, I_D=85A, V_GS=10V, R_G=2.5

V_GS=0V, V_DS=30V, f=1MHz

f=1MHz

0.6

Source-Drain Diode

*I_S

*I_SM

*V_SD

*trr

200

1.2

0.88

207

I_S=30A, V_GS=0V

V_GS=0V, I_F=30A, dI_F/dt=100A/μs

*Qrr

*Pulse Test : Pulse Width 300μs, Duty Cycle2%

MTE015N15RFP

CYStek Product Specification

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