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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MT9V127IA3XTC-DP1
MT9V127IA3XTC-DP1 PDF预览

MT9V127IA3XTC-DP1

更新时间： 2024-09-17 11:01:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 时钟小信号双极晶体管传感器换能器图像传感器
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
CMOS 图像传感器片上系统，VGA，1/4"

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MT9V127IA3XTC-DP1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：BGA-63Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：5.68
其他特性：ELECTRONIC ROLLING SHUTTER, IT ALSO OPERATES AT ANALOG SUPPLY VOLTAGE 2.66-2.94 V阵列类型：FRAME
主体宽度：9 mm主体长度或直径：9 mm
动态范围：74.6 dB帧速率：30 fps
水平像素：680主时钟：27 MHz
安装特点：SURFACE MOUNT最大工作电流：50 mA
最高工作温度：70 °C最低工作温度：-30 °C
光学格式：1/4 inch输出接口类型：2-WIRE INTERFACE
输出类型：DIGITAL CURRENT像素大小：5.60X5.60 µm
传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CMOS最大供电电压：1.9 V
最小供电电压：1.7 V表面贴装：YES
端接类型：SOLDER垂直像素：512
Base Number Matches：1

MT9V127IA3XTC-DP1 数据手册

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January 2005  
BC517  
NPN Darlington Transistor  
•
•
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A.  
Sourced from process 05.  
TO-92  
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
10  
V
I
- Continuous  
1.2  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2.0mA, I = 0  
30  
40  
10  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 10µA, I = 0  
E
= 100nA, I = 0  
V
C
I
V
= 30V, I = 0  
100  
nA  
CB  
E
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
= 2.0V, I = 20mA  
30,000  
FE  
CE  
C
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 100mA, I = 0.1mA  
1
V
V
CE(sat)  
BE(on)  
C
C
B
= 10mA, V = 5.0V  
1.4  
CE  
Thermal Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BC517 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

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与MT9V127IA3XTC-DP1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT9V127IA3XTC-DR ONSEMI

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 		1/4-Inch Color CMOS NTSC/PAL Digital Image SOC
MT9V127IA3XTC-DR1 ONSEMI

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