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MT58L128L36P1B-6

更新时间： 2024-02-27 08:27:02
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 353K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119

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MT58L128L36P1B-6 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.56
Is Samacsys：N最长访问时间：3.5 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e1
长度：22 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.4 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

MT58L128L36P1B-6 数据手册

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4Mb : 256K x 18, 128K x 32/36  
PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
100-PIN TQFP  
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51  
SA  
SA  
ADV#  
ADSP#  
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OE#  
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SA  
SA  
SA  
SA  
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GW#  
CLK  
SA  
NF**  
NF**  
V
SS  
V
DD  
V
DD  
V
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x18  
CE2#  
BWa#  
BWb#  
NC  
DNU  
DNU  
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NC  
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SA  
SA  
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NF**  
NF**  
V
SS  
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DD  
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x32/x36  
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CE2  
DNU  
DNU  
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SA  
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*No Connect (NC) is used on the x32 version. Parity (DQPx) is used on the x36 version.  
**Pins 43 and 42 are reserved for address expansion, 8Mb and 16Mb respectively.  
4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 Pipelined, SCD SyncBurst SRAM  
MT58L256L18P1_D.p65 – Rev. 10/01  
Micron Technology, Inc., reservesthe right to change productsor specificationswithout notice.  
©2001, Micron Technology, Inc.  
5
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