是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | FBGA-165 |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.51 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 2.8 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.525 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MT58L128L36P1F-6 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 |
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MT58L128L36P1F-7.5 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 |
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MT58L128L36P1T-10 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
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MT58L128L36P1T-10IT | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
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MT58L128L36P1T-4 | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX36, 2.3ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
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MT58L128L36P1T-4.4 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
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