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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | FBGA-165 |
| 针数： | 165 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 2.8 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TBGA | 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.525 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 13 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MT58L128L36P1F-6 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 |
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| MT58L128L36P1F-7.5 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 4ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 |
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| MT58L128L36P1T-10 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
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| MT58L128L36P1T-10IT | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
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| MT58L128L36P1T-4 | CYPRESS | Standard SRAM, 128KX36, 2.3ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100 |
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| MT58L128L36P1T-4.4 | CYPRESS | Cache SRAM, 128KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
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