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MT58L128L18FT-6.8T

更新时间： 2024-01-22 00:36:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
17页 243K
描述
Standard SRAM, 128KX18, 6.8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026, TQFP-100

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MT58L128L18FT-6.8T 数据手册

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2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36  
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM  
READ/WRITE TIMING  
t
KC  
CLK  
t
t
KL  
KH  
t
t
ADSH  
ADSS  
ADSP#  
ADSC#  
t
t
AH  
AS  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
ADDRESS  
t
t
WH  
WS  
BWE#,  
BWa#-BWd#  
(NOTE 4)  
t
t
CEH  
CES  
CE#  
(NOTE 2)  
ADV#  
OE#  
t
t
DH  
DS  
t
OELZ  
t
D
Q
High-Z  
D(A3)  
D(A5)  
D(A6)  
t
OEHZ  
KQ  
(NOTE 1)  
Q(A4+1)  
Q(A1)  
Q(A2)  
Q(A4)  
Q(A4+2)  
Q(A4+3)  
Back-to-Back  
WRITEs  
Back-to-Back READs  
Single WRITE  
BURST READ  
DON’T CARE  
UNDEFINED  
READ/WRITE TIMING PARAMETERS  
-6.8  
-7.5  
-8.5  
-10  
-6.8  
-7.5  
-8.5  
-10  
SYMBOL  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS  
SYMBOL  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX UNITS  
t
t
KC  
8.0  
8.8  
10.0  
15  
ns  
66 MHz  
ns  
WS  
1.8  
1.8  
1.8  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
2.0  
2.0  
2.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
2.0  
2.0  
2.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
2.5  
2.5  
2.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
f
t
KF  
125  
113  
100  
DS  
t
t
KH  
1.8  
1.8  
1.9  
1.9  
1.9  
1.9  
4.0  
4.0  
CES  
t
t
KL  
ns  
AH  
t
t
KQ  
6.8  
3.8  
7.5  
4.2  
8.5  
5.0  
10.0  
5.0  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ADSH  
t
t
OELZ  
0
0
0
0
WH  
t
t
OEHZ  
DH  
t
t
AS  
1.8  
1.8  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.5  
2.5  
CEH  
t
ADSS  
NOTE:  
1. Q(A4) refers to output from address A4. Q(A4 + 1) refers to output from the next internal burst address following A4.  
2. CE2# and CE2 have timing identical to CE#. On this diagram, when CE# is LOW, CE2# is LOW and CE2 is HIGH. When CE# is HIGH, CE2# is  
HIGH and CE2 is LOW.  
3. The data bus (Q) remains in High-Z following a WRITE cycle unless an ADSP#, ADSC# or ADV# cycle is performed.  
4. GW# is HIGH.  
5. Back-to-back READs may be controlled by either ADSP# or ADSC#.  
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM  
MT58L128L18F.p65 – Rev. 6/99  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
1999, Micron Technology, Inc.  
16  
1...1314151617

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MT58L128L18FT-7.5 MICRON

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 		2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM
MT58L128L18FT-7.5IT CYPRESS

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 		Cache SRAM, 128KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100
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