Datasheet > MT58L128L18FT-8.5IT

MT58L128L18FT-8.5IT

更新时间： 2024-01-09 00:00:45

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	312K
描述
Cache SRAM, 128KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MT58L128L18FT-8.5IT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	8.5 ns
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	长度：	20 mm
内存密度：	2359296 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MT58L128L18FT-8.5IT 数据手册

浏览型号MT58L128L18FT-8.5IT的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MT58L128L18FT-8.5IT的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MT58L128L18FT-8.5IT的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MT58L128L18FT-8.5IT的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MT58L128L18FT-8.5IT的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MT58L128L18FT-8.5IT的Datasheet PDF文件第7页

2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36

FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

MT58L128L18F, MT58L64L32F,

MT58L64L36F; MT58L128V18F,

MT58L64V32F, MT58L64V36F

2Mb SYNCBURST^™

SRAM

3.3V VDD, 3.3V or 2.5V I/O, Flow-Through

FEATURES

• Fast clock and OE# access times

100-Pin TQFP*

• Single +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (V^DD)

• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer supply

(VDDQ)

• SNOOZE MODE for reduced-power standby

• Common data inputs and data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL WRITE

• Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

• Clock-controlled and registered addresses, data I/Os

and control signals

• Internally self-timed WRITE cycle

• Burst control pin (interleaved or linear burst)

• Automatic power-down for portable applications

• 100-lead TQFP package for high density, high speed

• Low capacitive bus loading

• x18, x32 and x36 versions available

*JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

OPTIONS

MARKING

• Timing (Access/Cycle/MHz)

6.8ns/8.0ns/125 MHz

7.5ns/8.8ns/113 MHz

8.5ns/10ns/100 MHz

10ns/15ns/66 MHz

-6.8

-7.5

-8.5

-10

GENERAL DESCRIPTION

™

The Micron SyncBurst SRAM family employs high-

speed, low-power CMOS designs that are fabricated using

an advanced CMOS process.

Micron’s 2Mb SyncBurst SRAMs integrate a 128K x 18,

64Kx32,or64Kx36SRAMcorewithadvancedsynchronous

peripheral circuitry and a 2-bit burst counter. All

synchronous inputs pass through registers controlled by a

positive-edge-triggered single clock input (CLK). The

synchronous inputs include all addresses, all data inputs,

active LOW chip enable (CE#), two additional chip enables

for easy depth expansion (CE2, CE2#), burst control inputs

(ADSC#, ADSP#, ADV#), byte write enables (BWx#) and

global write (GW#).

• Configurations

3.3V I/O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128L18F

MT58L64L32F

MT58L64L36F

2.5V I/O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128V18F

MT58L64V32F

MT58L64V36F

Asynchronous inputs include the output enable (OE#),

snooze enable (ZZ) and clock (CLK). There is also a burst

mode pin (MODE) that selects between interleaved and

linear burst modes. The data-out (Q), enabled by OE#, is

also asynchronous. WRITE cycles can be from one to two

bytes wide (x18) or from one to four bytes wide (x32/x36),

as controlled by the write control inputs.

• Package

100-pin TQFP

• Operating Temperature Range

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)

None

Burstoperationcanbeinitiatedwitheitheraddressstatus

processor (ADSP#) or address status controller (ADSC#)

input pins. Subsequent burst addresses can be internally

generated as controlled by the burst advance pin (ADV#).

• Part Number Example: MT58L64L36FT-8.5 IT

2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM

MT58L128L18F.p65 – Rev. 9/99

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

1999, Micron Technology, Inc.

All registered and unregistered trademarks are the sole property of their respective companies.

12 3 4 5 6 7...17

下载PDF

与MT58L128L18FT-8.5IT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MT58L128L18PF-10	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-10IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-5	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-5IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-6	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-6IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格

与MT58L128L18FT-8.5IT相关文章

AD637数据手册解读：主要特性、引脚及其功能解读、电气参数
2024-05-21

2
ADUM1201资料手册解读：参数分析、引脚说明、应用分析
2024-05-21

2
一文带你了解压敏电阻器在直流电路中的过压保护作用
2024-05-21

2
可控硅触发板选型指南
2024-05-21

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MT58L128L18FT-8.5IT

MT58L128L18FT-8.5IT 技术参数

MT58L128L18FT-8.5IT 数据手册

与MT58L128L18FT-8.5IT相关器件

与MT58L128L18FT-8.5IT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MT58L128L18FT-8.5IT

MT58L128L18FT-8.5IT 技术参数

MT58L128L18FT-8.5IT 数据手册

与MT58L128L18FT-8.5IT相关器件

与MT58L128L18FT-8.5IT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？