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MT58L128L32D1B-5IT

更新时间： 2024-01-03 14:55:44

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
23页	605K
描述
Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

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MT58L128L32D1B-5IT 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.44
最长访问时间：	2.8 ns	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX36
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MT58L128L32D1B-5IT 数据手册

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PRELIMINARY

4Mb : 256K x 18, 128K x 32/36

3.3V I/O PIPELINED, DCD SYNCBURST SRAM

4Mb SYNCBURST^™

SRAM

MT58L256L18D1, MT58L128L32D1,

MT58L128L36D1

3.3V VDD, 3.3V I/O, Pip e lin e d , Do u b le -

Cycle De se le ct

FEATURES

• Fast clock and OE# access times

• Single +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (V^DD)

• Separate +3.3V isolated output buffer supply

(VDDQ)

100-PIN TQFP*

• SNOOZE MODE for reduced-power standby

• Common data inputs and data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL

WRITE

• Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

• Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os and control signals

• Internally self-timed WRITE cycle

• Burst control pin (interleaved or linear burst)

• Automatic power-down for portable applications

• 100-lead TQFP package for high density, high

speed

119-PIN BGA

• 119-pin BGA package

• Low capacitive bus loading

• x18, x32 and x36 versions available

OPTIONS

MARKING

• Timing (Access/Cycle/MHz)

2.6ns/5ns/200 MHz

3.5ns/6ns/166 MHz

4.0ns/7.5ns/133 MHz

5ns/10ns/100 MHz

-5

-6

-7.5

-10

*JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

• Configurations

256K x 18

MT58L256L18D1

MT58L128L32D1

MT58L128L36D1

128K x 32

128K x 36

GENERAL DESCRIPTION

The Micron^®SyncBurst^™SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs that are fabri-

cated using an advanced CMOS process.

• Packages

100-pin TQFP

119-pin, 14mm x 22mm BGA

Micron’s 4Mb SyncBurst SRAMs integrate a 256K x

18, 128K x 32, or 128K x 36 SRAM core with advanced

synchronous peripheral circuitry and a 2-bit burst

counter. All synchronous inputs pass through registers

controlled by a positive-edge-triggered single clock

input (CLK). The synchronous inputs include all ad-

dresses, all data inputs, active LOW chip enable (CE#),

two additional chip enables for easy depth expansion

(CE2, CE2#), burst control inputs (ADSC#, ADSP#,

ADV#), byte write enables (BWx#) and global write

(GW#).

• Operational Temperature Range

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)

None

Part Number Example:

MT58L256L18D1T-6 IT

4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 3.3V I/O Pipelined, DCD SyncBurst SRAM

MT58L256L18D1.p65 – Rev 12/99

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...23

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与MT58L128L32D1B-5IT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MT58L128L32D1T-5IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	获取价格
MT58L128L32F1	MICRON	4Mb: 256K x 18, 128K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM	获取价格
MT58L128L32F1B-10	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX32, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119	获取价格
MT58L128L32F1B-6.8	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX32, 6.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119	获取价格
MT58L128L32F1B-7.5	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX32, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119	获取价格
MT58L128L32F1B-7.5IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX32, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028BHA, BGA-119	获取价格

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