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MT58L128L18FT8.5

更新时间： 2024-01-25 02:18:17

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	522K
描述
128KX18 STANDARD SRAM, 8.5ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L128L18FT8.5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8.5 ns	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	2359296 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD (800)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

MT58L128L18FT8.5 数据手册

2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36

FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

2Mb SYNCBURST^™

SRAM

MT58L128L18F, MT58L64L32F,

MT58L64L36F; MT58L128V18F,

MT58L64V32F, MT58L64V36F

3.3V VDD, 3.3V o r 2.5V I/O, Flo w -Th ro u g h

FEATURES

100-Pin TQFP*

• Fast clock and OE# access times

• Single +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (V^DD)

• Separate +3.3V or +2.5V isolated output buffer

supply (VDDQ)

• SNOOZE MODE for reduced-power standby

• Common data inputs and data outputs

• Individual BYTE WRITE control and GLOBAL

WRITE

• Three chip enables for simple depth expansion and

address pipelining

• Clock-controlled and registered addresses, data

I/Os and control signals

• Internally self-timed WRITE cycle

• Burst control pin (interleaved or linear burst)

• Automatic power-down

• 100-pin TQFP package

• 165-pin FBGA package

165-Pin FBGA

(Preliminary Package Data)

• Low capacitive bus loading

• x18, x32, and x36 versions available

OPTIONS

MARKING

• Timing (Access/Cycle/MHz)

6.8ns/8.0ns/125 MHz

7.5ns/8.8ns/113 MHz

8.5ns/10ns/100 MHz

10ns/15ns/66 MHz

-6.8

-7.5

-8.5

-10

• Configurations

3.3V I/O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128L18F

MT58L64L32F

MT58L64L36F

*JEDEC-standard MS-026 BHA (LQFP).

2.5V I/O

128K x 18

64K x 32

64K x 36

MT58L128V18F

MT58L64V32F

MT58L64V36F

GENERAL DESCRIPTION

• Packages

The Micron^®SyncBurst^™SRAM family employs

high-speed, low-power CMOS designs that are fabri-

cated using an advanced CMOS process.

100-pin TQFP

165-pin FBGA

Micron’s 2Mb SyncBurst SRAMs integrate a 128K x

18, 64K x 32, or 64K x 36 SRAM core with advanced

synchronous peripheral circuitry and a 2-bit burst

counter. All synchronous inputs pass through registers

controlled by a positive-edge-triggered single clock

input (CLK). The synchronous inputs include all ad-

dresses, all data inputs, active LOW chip enable (CE#),

• Operating Temperature Range

Commercial (0°C to +70°C)

None

Part Number Example:

MT58L64L36FT-8.5*

*See page 24 for the FBGA Part Marking Guide

2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM

MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 7/00

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MT58L128L18FT-8.5	MICRON	2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM	获取价格
MT58L128L18FT-8.5IT	CYPRESS	Cache SRAM, 128KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100	获取价格
MT58L128L18PF-10	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-10IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-5	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格
MT58L128L18PF-5IT	CYPRESS	Standard SRAM, 128KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165	获取价格

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