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MT58L128L18FT8.5 PDF预览

MT58L128L18FT8.5

更新时间： 2024-02-08 14:50:28
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 522K
描述
128KX18 STANDARD SRAM, 8.5ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L128L18FT8.5 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP,
针数：100Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.25Is Samacsys：N
最长访问时间：8.5 nsJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：2359296 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：100
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX18
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD (800)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

MT58L128L18FT8.5 数据手册

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2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36  
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
128K x 18  
17  
15  
17  
17  
2
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0-SA1  
Q1  
SA1'  
SA0'  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER AND  
LOGIC  
CLR  
Q0  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE “b”  
WRITE DRIVER  
BYTE “b”  
WRITE REGISTER  
9
9
9
9
BWb#  
DQs  
DQPa  
DQPb  
128K x 9 x 2  
MEMORY  
ARRAY  
OUTPUT  
BUFFERS  
SENSE  
AMPS  
18  
18  
18  
BYTE “a”  
WRITE DRIVER  
BYTE “a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
18  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
CE2#  
2
OE#  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
64K x 32/36  
16  
14  
16  
16  
ADDRESS  
REGISTER  
SA0, SA1, SA  
MODE  
SA0-SA1  
Q1  
Q0  
ADV#  
CLK  
BINARY  
COUNTER  
AND LOGIC  
SA1'  
SA0'  
CLR  
ADSC#  
ADSP#  
BYTE “d”  
WRITE DRIVER  
BYTE “d”  
WRITE REGISTER  
BWd#  
18  
18  
18  
18  
64K x 8 x 4  
(x32)  
BYTE “c”  
WRITE DRIVER  
BWc#  
BYTE “c”  
WRITE REGISTER  
OUTPUT  
BUFFERS  
64K x 9 x 4  
(x36)  
DQs  
SENSE  
AMPS  
36  
36  
36  
BYTE “b”  
WRITE DRIVER  
BYTE “b”  
WRITE REGISTER  
18  
18  
18  
18  
BWb#  
MEMORY  
ARRAY  
BYTE “a”  
WRITE DRIVER  
BYTE “a”  
WRITE REGISTER  
BWa#  
BWE#  
INPUT  
REGISTERS  
GW#  
36  
ENABLE  
REGISTER  
CE#  
CE2  
CE2#  
OE#  
4
NOTE: Functional Block Diagrams illustrate simplified device operation. See truth table, pin descriptions and timing diagrams for  
detailed information.  
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM  
MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 7/00  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2000,MicronTechnology,Inc.  
2
1234567...25

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MT58L128L18FT-8.5 MICRON 2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

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MT58L128L18FT-8.5IT CYPRESS Cache SRAM, 128KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L128L18PF-10 CYPRESS Standard SRAM, 128KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165

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