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MT58L128L18FT8.5

更新时间： 2024-02-14 11:48:54

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	522K
描述
128KX18 STANDARD SRAM, 8.5ns, PQFP100, PLASTIC, MS-026BHA, TQFP-100

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MT58L128L18FT8.5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	8.5 ns	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	2359296 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD (800)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

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2Mb : 128K x 18, 64K x 32/36

FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM

REVISION HISTORY

Removed IT References, REV 7/00, FINAL..................................................................................................... July/10/00

Added FBGA Part Marking Guide

Added Revision History to Datasheet

Removed IT from Part Number Example, REV 6/00, FINAL....................................................................... June/21/00

Added # of datalines to the databus in x32/36 Block Diagram

Changed tKQLZ from 4.0ns MIN to 1.5ns MIN

Added Note - “Preliminary Package Data” to FBGA Capacitance and Thermal Resistance Tables

Changed heading on Mechanical Drawing from BGA to FBGA

Added 165-Pin FBGA package, REV 3/00, FINAL ....................................................................................... May/23/00

Added PRELIMINARY PACKAGE DATA to diagram

2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM

MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 7/00

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

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