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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 最长访问时间： | 2.5 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | QDR SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MT54V512H18EF-7.5 | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX18 QDR SRAM, 3ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54V512H18EF-7.5 | CYPRESS |
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QDR SRAM, 512KX18, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
|
| MT54V512H36AF-10 | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
|
| MT54V512H36AF-6 | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54V512H36EF-10 | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54V512H36EF-5 | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX36 QDR SRAM, 2.2ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54V512H36EF-5 | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 2.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54V512H36EF-6 | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX36 QDR SRAM, 2.5ns, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54V512H36EF-7.5 | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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| MT54W1MH18BF-4 | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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