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MT4LC16M4T8TG-5

更新时间： 2024-02-07 10:42:54
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 350K
描述
DRAM

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MT4LC16M4T8TG-5 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP2,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.56
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：20.96 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

MT4LC16M4T8TG-5 数据手册

 浏览型号MT4LC16M4T8TG-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MT4LC16M4T8TG-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MT4LC16M4T8TG-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT4LC16M4T8TG-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT4LC16M4T8TG-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT4LC16M4T8TG-5的Datasheet PDF文件第7页 
16 MEG x 4  
FPM DRAM  
MT4LC16M4A7, MT4LC16M4T8  
DRAM  
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web  
site: www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html  
FEATURES  
• Sin gle +3.3V ±0.3V power supply  
• In dustry-stan dard x4 pin out, tim in g, fun ction s,  
an d packages  
• 13 row, 11 colum n addresses (A7)  
12 row, 12 colum n addresses (T8)  
• High -perform an ce CMOS silicon -gate process  
• All in puts, outputs an d clocks are LVTTL-com pat-  
ible  
• FAST-PAGE-MODE (FPM) access  
• 4,096-cycle CAS#-BEFORE-RAS# (CBR) REFRESH  
distributed across 64m s  
• Option al self refresh (S) for low-power data  
reten tion  
PIN ASSIGNMENT (To p Vie w )  
32-Pin SOJ  
32-Pin TSOP  
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VSS  
V
CC  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
VSS  
DQ0  
DQ1  
NC  
NC  
NC  
DQ3  
DQ2  
NC  
NC  
NC  
CAS#  
OE#  
A12/NC**  
A11  
A10  
A9  
DQ0  
DQ1  
NC  
NC  
NC  
DQ3  
DQ2  
NC  
NC  
NC  
CAS#  
OE#  
A12/NC**  
A11  
A10  
A9  
NC  
WE#  
RAS#  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
NC  
9
WE#  
RAS#  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A8  
A7  
A6  
VSS  
A8  
A7  
A6  
VSS  
OPTIONS  
MARKING  
VCC  
• Refresh Addressin g  
4,096 (4K) rows  
8,192 (8K) rows  
VCC  
T8  
A7  
**A12 on A7 version and NC on T8 version  
• Plastic Packages  
32-pin SOJ (400 m il)  
32-pin TSOP (400 m il)  
DJ  
TG  
16 MEG x 4 FPM DRAM PART NUMBERS  
• Tim in g  
REFRESH  
50n s access  
60n s access  
-5  
-6  
PART NUMBER  
ADDRESSING PACKAGE REFRESH  
MT4LC16M4A7DJ-x  
MT4LC16M4A7DJ-x S  
MT4LC16M4A7TG-x  
MT4LC16M4A7TG-x S  
MT4LC16M4T8DJ-x  
MT4LC16M4T8DJ-x S  
MT4LC16M4T8TG-x  
MT4LC16M4T8TG-x S  
8K  
8K  
8K  
8K  
4K  
4K  
4K  
4K  
SOJ  
SOJ  
Standard  
Self  
• Refresh Rates  
TSOP  
TSOP  
SOJ  
Standard  
Self  
Stan dard Refresh  
Self Refresh (128m s period)  
Non e  
S*  
Standard  
Self  
NOTE: 1. Th e 16 Meg x 4 FPM DRAM base n um ber  
differen tiates th e offerin gs in on e place—  
SOJ  
TSOP  
TSOP  
Standard  
Self  
MT4LC16M4A7. Th e fifth field distin guish es  
various option s: A7 design ates an 8K refresh an d  
T8 design ates a 4K refresh for FPM DRAMs.  
2. Th e # sym bol in dicates sign al is active LOW.  
x = speed  
*Con tact factory for availability  
GENERAL DESCRIPTION  
Th e 16 Meg x 4 DRAMs are h igh -speed CMOS,  
dyn am ic ran dom -access m em ory devices con tain -in g  
67,108,864 bits organ ized in a x4 con figuration . Th e  
MT4LC16M4A7 an d MT4LC16M4T8 are fun ction ally  
organ ized as 16,777,216 location s con tain in g four bits  
each . Th e 16,777,216 m em ory location s are arran ged in  
8,192 rows by 2,048 colum n s for th e MT4LC16M4A7 or  
4,096 rows by 4,096 colum n s for th e MT4LC16M4T8.  
Durin g READ or WRITEcycles, each location is un iquely  
Part Number Example:  
MT4LC16M4A7DJ  
KEY TIMING PARAMETERS  
t
t
t
t
t
SPEED  
RC  
RAC  
PC  
AA  
CAC  
-5  
-6  
90ns  
50ns  
60ns  
30ns  
35ns  
25ns  
30ns  
13ns  
15ns  
110ns  
16 Meg x 4 FPM DRAM  
D21_2.p65 – Rev. 5/00  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2000, Micron Technology, Inc.  
1
1234567...20

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