MSS1P2U

更新时间： 2024-11-26 10:44:31

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威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管瞄准线
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4页	90K
描述
Ultra Low VF Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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MSS1P2U 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROSMP, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW POWER LOSS	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MSS1P2U 数据手册

New Product

MSS1P2U, MSS1P3U

Vishay General Semiconductor

Ultra Low V_FSurface Mount Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

eSMP^®Series

• Very low profile - typical height of 0.65 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• Caution: High reverse leakage

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

Top View

Bottom View

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

MicroSMP

The ultra low V_FSchottky optimized for forward voltage drop

with high reverse current trade-off.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

MECHANICAL DATA

Case: MicroSMP

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

20 V, 30 V

30 A

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

V_RRM

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS compliant, and

I_FSM

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 1.5 A

T_Jmax.

0.30 V

125 °C

Polarity: Color band denotes the cathode end

APPLICATIONS

Application designed and qualified for hard disc driver

where the V_Fperformance and size are required. HTIR is not

a concern.

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

MSS1P2U

12U

MSS1P3U

13U

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_J

- 55 to + 125

- 55 to + 150

°C

T_STG

Document Number: 89095

Revision: 19-Apr-11

For technical questions within your region, please contact one of the following:

DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSS1P2U-M3/89A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM),
MSS1P3	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3_11	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3-E3/89A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM),
MSS1P3-G3/89A	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, GREEN, PLASTIC, MICROSMP, 2 PIN, Signal Diode
MSS1P3HM3/89A	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROSMP-2, Signa
MSS1P3L	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3L_15	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3L-E3/89A	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3L-M3/89A	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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