MSS1P3

更新时间： 2024-11-28 05:50:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		信号二极管肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	107K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSS1P3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MSS1P3 数据手册

New Product

MSS1P3 & MSS1P4

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 0.68 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

Top View

Bottom View

MicroSMP

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

MECHANICAL DATA

Case: MicroSMP

V_RRM

I_FSM

30 V, 40 V

25 A

Molding compound meets UL 94V-0 flammability

rating.

V_Fat I_F= 1.0 A

T_Jmax.

0.41 V

150 °C

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,

commercial grade

TYPICAL APPLICATIONS

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 and M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker

test

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity

protection applications.

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

MSS1P3

MSS1P4

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Document Number: 89019

Revision: 04-Aug-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MSS1P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSS1P3_11	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3-E3/89A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM),
MSS1P3-G3/89A	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, GREEN, PLASTIC, MICROSMP, 2 PIN, Signal Diode
MSS1P3HM3/89A	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROSMP-2, Signa
MSS1P3L	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3L_15	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3L-E3/89A	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3L-M3/89A	VISHAY	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3U	VISHAY	获取价格	Ultra Low VF Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
MSS1P3U-M3/89A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM),

与MSS1P3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

37
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

65
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSS1P3

MSS1P3 技术参数

MSS1P3 数据手册

与MSS1P3相关器件

与MSS1P3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MSS1P3

MSS1P3 技术参数

MSS1P3 数据手册

与MSS1P3相关器件

与MSS1P3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？