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MSM514101AL-70SJ

更新时间： 2024-09-15 14:53:59

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	402K
描述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

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MSM514101AL-70SJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	NIBBLE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	长度：	17.15 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSM514101AL-80J	OKI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-10J	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-10SJ	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-10TK	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MSM514102A-70SJ	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-80SJ	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102A-80ZS	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
MSM514102AL-10J	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102AL-10SJ	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
MSM514102AL-10TL	OKI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20