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MS8050-H

更新时间： 2024-01-25 12:16:50

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	224K
描述
NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor

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MS8050-H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	80	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

MS8050-H 数据手册

M C C

MS8050-L

MS8050-H

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

Features

•

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.2Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

NPN Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Collector-current 0.8A

Collector-base Voltage 40V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Marking Code: Y11

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

6.0

---

Vdc

(I =100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

CBO

(V_CB=35Vdc, I =0)

Collector Cutoff Current

---

CEO

(V_CE=20Vdc, I =0)

DIMENSIONS

ON CHARACTERISTICS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

h_FE(1)

DC Current Gain

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

(I =5mAdc, V_CE=1.0Vdc)

h_FE(2)

DCCurrent Gain

300

(I =100mAdc, V_CE=1.0Vdc)

h_FE(3)

DCCurrent Gain

---

(I =800mAdc, V_CE=1.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

0.5

1.2

Vdc

.085

.37

(I =800mAdc, I_B=80mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

Suggested Solder

Pad Layout

(I =800mAdc, I_B=80mAdc)

.031

.800

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

.035

.900

f_T

Transistor Frequency

150

---

MHz

(I =20mAdc, V_CE=6.0Vdc, f=30MHz)

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF HFE (2)

Rank

Range

80-200

200-300

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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