MS808C06

更新时间： 2024-02-24 14:05:02

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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MS808C06 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SURFACE MOUNT PACKAGE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.58 V	JESD-30 代码：	R-CBCC-N4
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	30 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

MS808C06 数据手册

(60V / 30A )

MS808C06 (30A)

Outline drawings, mm

SCHOTTKY BARRIER DIODE

9.0±0.2

7.0±0.2

Solder

Plating

2.0

1.5

2.0

2.5

3.6±0.2

1.0±0.2

(3.2)

(4.0)

Features

(0.8)

Low VF

Super high speed switching

High reliability by planer design

Connection diagram

Applications

High speed power switching

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings

Symbol

V^RRM

VRSM

Conditions

Item

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

Average output current

Surge current

30*

200

tw=500ns, duty=1/40

Square wave, duty=1/2

Tc=118°C

Sine wave

10ms

IFSM

Operating junction temperature

Storage temperature

-40 to +150

°C

Tstg

* Average forward current of centertap full wave connection

Electrical characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Unit

Symbol

VFM

Max.

0.58

Conditions

I^FM=12.5A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

°C/W

IRRM

Junction to case

Thermal resistance

Rth(j-c)

1.2

12 3

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