MS2322

更新时间： 2024-11-23 03:48:23

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ADPOW		晶体射频双极晶体管微波电子航空
页数	文件大小	规格书
3页	92K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

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MS2322 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-PRDB-F4	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MS2322 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MS2322

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

AVIONICS APPLICATIONS

Features

1025 - 1150 MHz

50 VOLT OPERATION

P_OUT= 15 WATTS

G_P= 10 dB MINIMUM

20:1 VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS

COMMON BASE CONFIGURATION

.280 4LSL (M115)

Epoxy Sealed

DESCRIPTION:

The MS2322 is a gold metallized, silicon NPN power transistor

designed for pulsed applications with low duty cycles such as

IFF, DME and TACAN. Internal impedance matching is utilized

for maximum broadband performance and simplified external

matching.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CES

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

3.5

1.5

P_DISS

T_J

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

87.5

+200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

2.0

°C/W

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

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