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MS1532

更新时间： 2024-11-21 20:36:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	114K
描述
RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M119, 4 PIN

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MS1532 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.13	最大集电极电流 (IC)：	11 A
基于收集器的最大容量：	36 pF	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	25	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	JESD-609代码：	e0
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	88.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1532 数据手册

MS1532

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF TV LINEAR APPLICATIONS

Features

•

470 – 860 MHz

26.5 VOLTS

_OUT= 20 WATTS

G_P= 9.5 dB MINIMUM

INTERNAL INPUT MATCHING

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1532 is a gold metallized epitaxial silicon NPN planar

transistor designed for use in linear applications up to 1 GHz.

Emitter Ballast resistors provide stable linear operation for

UHF television transmitter, transponders and cellular base

stations applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

60.0

V_EBO

V_CES

P_DISS

I_C

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Power Dissipation

4.0

60.0

88.8

11.0

+200

Device Current

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

1.9

°C/W

053-7095 Rev - 10-2002

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MS1533	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS
MS1533	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M175, 4 P
MS1536	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800 / 900 MHz APPLICATIONS
MS1540004	AMETHERM	获取价格	Circuit Protection Thermistors
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