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MRFG35010R5

更新时间： 2024-02-05 22:21:42

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		局域网放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1109K
描述
S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN

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MRFG35010R5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE

MRFG35010R5 数据手册

Document Number: MRFG35010

Rev. 7, 5/2006

Freescale Semiconductor

Technical Data

Gallium Arsenide PHEMT

RF Power Field Effect Transistor

MRFG35010R1

MRFG35010R5

Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from

1800 to 3600 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or

Class A linear base station applications.

• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,

I_DQ= 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01% Probability)

3.5 GHz, 10 W, 12 V

POWER FET

GaAs PHEMT

Output Power — 1 Watt

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 30%

• 10 Watts P1dB @ 3550 MHz

• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

R5 Suffix = 50 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

CASE 360D-02, STYLE 1

NI-360HF

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

DSS

Vdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

28.3

0.19

W/°C

Derate above 25°C

Gate-Source Voltage

RF Input Power

-5

Vdc

dBm

°C

Storage Temperature Range

stg

-65 to +175

175

(1)

Channel Temperature

°C

Operating Case Temperature Range

-20 to +90

°C

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Value

Unit

Class A

Class AB

5.3

4.8

°C/W

1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.

MRFG35010R1 MRFG35010R5

RF Device Data

Freescale Semiconductor

123 4 5 6 7...13

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