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MRFG35010R5 PDF预览

MRFG35010R5

更新时间： 2024-01-16 19:14:05
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 局域网放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 1109K
描述
S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN

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MRFG35010R5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-PDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

MRFG35010R5 数据手册

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Table 3. Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Saturated Drain Current  
(V = 3.5 Vdc, V = 0 Vdc)  
I
—
2.9  
—
Adc  
DSS  
GSS  
DSO  
DS  
GS  
Off State Leakage Current  
(V = -0.4 Vdc, V = 0 Vdc)  
I
—
—
< 1.0  
0.09  
5.0  
100  
1.0  
15  
μAdc  
mAdc  
mAdc  
Vdc  
Vdc  
dB  
GS  
DS  
Off State Drain Current  
I
(V = 12 Vdc, V = -1.9 Vdc)  
DS  
GS  
Off State Current  
I
—
DSX  
(V = 28.5 Vdc, V = -2.5 Vdc)  
DS  
GS  
Gate-Source Cut-off Voltage  
(V = 3.5 Vdc, I = 15 mA)  
V
V
-1.2  
-1.0  
9.0  
—
-0.8  
-0.8  
10  
-0.7  
-0.5  
—
GS(th)  
DS  
DS  
Quiescent Gate Voltage  
GS(Q)  
(V = 12 Vdc, I = 180 mA)  
DS  
D
Power Gain  
G
ps  
(V = 12 Vdc, I = 180 mA, f = 3.55 GHz)  
DD  
DQ  
Output Power, 1 dB Compression Point  
P1dB  
10  
—
W
(V = 12 Vdc, I = 180 mA, f = 3.55 GHz)  
DD  
DQ  
Drain Efficiency  
h
D
23  
30  
—
%
(V = 12 Vdc, I = 180 mA, P = 1.0 W Avg.,  
DD  
DQ  
out  
f = 3.55 GHz)  
Adjacent Channel Power Ratio  
(V = 12 Vdc, P = 1.0 W Avg., I = 180 mA,  
ACPR  
—
-42  
-40  
dBc  
DD  
out  
DQ  
f = 3.55 GHz, W-CDMA, 8.5 P/A @ 0.01% Probability,  
64 CH, 3.84 MCPS)  
MRFG35010R1 MRFG35010R5  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
2
1234567...13

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