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MR828 PDF预览

MR828

更新时间： 2024-11-07 22:29:55
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德欧泰克 - DIOTEC /
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2页 202K
描述
Fast Silicon Rectifiers

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MR828 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.43应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：330 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：0.3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MR828 数据手册

 浏览型号MR828的Datasheet PDF文件第2页 
MR 820 … MR 828  
Fast Silicon Rectifiers  
Schnelle Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
5 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Plastic case  
Ø 8 x 7.5 [mm]  
P-600 Style  
Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
1.5 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
V
RRM [V]  
50  
V
RSM [V]  
50  
MR 820  
MR 821  
MR 822  
MR 824  
MR 826  
MR 828  
100  
200  
400  
600  
800  
100  
200  
400  
600  
800  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50ꢀC  
f > 15 Hz  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
5 A 1)  
60 A 1)  
300 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
450 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150ꢀC  
– 50…+175ꢀC  
TS  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
120  
01.10.2002  
12

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MR828 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GI828-E3/54 VISHAY

功能相似

 DIODE 5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Rec
BY550-800 SEMIKRON

功能相似

 Standard silicon rectifier diodes

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MR-828 ETC

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