MPSA77

更新时间： 2024-09-22 22:51:11

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管达林顿晶体管
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Darlington Transistors

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MPSA77 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

MPSA77 数据手册

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by MPSA75/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

PNP Silicon

COLLECTOR 3

BASE

EMITTER 1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

MPSA75 MPSA77

–40 –60

Unit

Vdc

Adc

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

CES

EBO

–10

Collector Current — Continuous

–500

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = –100 µAdc, V = 0)

MPSA75

MPSA77

–40

–60

—

Vdc

(BR)CES

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

MPSA75

MPSA77

–40

–60

—

(BR)CBO

Collector Cutoff Current

nAdc

CBO

(V = –30 V, I = 0)

MPSA75

MPSA77

—

–100

= –50 V, I = 0)

Collector Cutoff Current

nAdc

CES

EBO

= –30 V, V

= –50 V, V

= 0)

MPSA75

MPSA77

—

–500

Emitter Cutoff Current (V

= –10 Vdc)

—

–100

nAdc

—

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = –10 mA, V

= –5.0 V)

10,000

—

(I = –100 mA, V

Collector–Emitter Saturation Voltage (I = –100 mA, I = –0.1 mAdc)

CE(sat)

—

–1.5

–2.0

Vdc

Base–Emitter On Voltage (I = –100 mA, V

= –5.0 Vdc)

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS

Current–Gain — High Frequency (I = –10 mA, V

= –5.0 V, f = 100 MHz)

1.25

2.4

—

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_{c. 1}a₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MPSA77-AMMO	NXP	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
MPSA77APM	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA77APMLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA77APP	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
MPSA77C	VISHAY	获取价格	Transistor,
MPSA77G	ONSEMI	获取价格	Darlington Transistors PNP Silicon
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