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MPSA77P

更新时间： 2024-11-11 22:51:11
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 23K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

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MPSA77P 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.13Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

MPSA77P 数据手册

  
PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
MPSA77P  
POWER DARLINGTON TRANSISTOR  
ISSUE 1 – JUNE 94  
FEATURES  
*
*
60 Volt VCEO  
Gain of 10k at IC=100mA  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-60  
-60  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-10  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-500  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
625  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO -60  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-60  
-10  
V
IC=-100µA, IB=0*  
IE=-10µA, IC=0  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V
Collector Cut-Off  
Current  
-100  
-500  
-100  
-1.5  
-2  
nA  
nA  
nA  
V
VCB=-50V, IE=0  
Collector Cut-Off  
Current  
ICES  
VCE=-50V  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
VEB=-10V, IC=0  
Collector-Emitter  
On Voltage  
VCE(sat)  
IC=-100mA, IB=-0.1mA*  
IC=-100mA, VCE=-5V*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(on)  
V
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
10k  
10k  
IC=-10mA, VCE=-5V*  
IC=-100mA, VCE=5V*  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3-83  
1

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