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MPSA45 PDF预览

MPSA45

更新时间： 2024-11-02 22:51:11
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KEC 晶体晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE)

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MPSA45 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.15
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：350 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MPSA45 数据手册

 浏览型号MPSA45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPSA45的Datasheet PDF文件第3页 
SEMICONDUCTOR  
MPSA44/45  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH VOLTAGE APPLICATION.  
B
C
FEATURES  
ᴌHigh Breakdown Voltage.  
ᴌCollector Power Dissipation : PC=625mW.  
DIM MILLIMETERS  
N
A
B
C
D
E
4.70 MAX  
4.80 MAX  
3.70 MAX  
0.45  
1.00  
1.27  
E
K
D
G
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VCBO  
RATING  
500  
UNIT  
V
F
G
H
J
K
L
0.85  
MPSA44  
MPSA45  
MPSA44  
MPSA45  
0.45  
Collector-Base  
_
H
14.00 +0.50  
Voltage  
0.55 MAX  
2.30  
0.45 MAX  
1.00  
400  
F
F
M
400  
Collector-Emitter  
Voltage  
N
VCEO  
V
3
1
2
350  
1. EMITTER  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
V
mA  
mW  
ᴱ
300  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
625  
TO-92  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
500  
400  
400  
350  
400  
6.0  
TYP.  
-
MAX. UNIT  
MPSA44  
MPSA45  
MPSA44  
MPSA45  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
IC=100ỌA, IE=0  
-
-
V
V
Breakdown Voltage  
Collector-Emitter  
V(BR)CEO  
IC=1mA, IB=0  
-
Breakdown Voltage (1)  
V(BR)CES  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (2)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
IC=100ỌA, IB=0  
-
-
-
-
V
V
IE=10ỌA, IC=0  
VCB=400V, IE=0  
VCB=320V, IE=0  
VCE=400V, IB=0  
VCE=320V, IB=0  
VEB=4V, IC=0  
MPSA44  
100  
100  
500  
500  
100  
-
ICBO  
Collector Cut off Current  
-
-
-
-
nA  
MPSA45  
MPSA44  
MPSA45  
ICES  
IEBO  
Collector Cut off Current  
Emitter Cutoff Current  
nA  
nA  
-
-
-
-
-
-
-
-
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCE=10V, IC=100mA  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
40  
50  
45  
40  
-
200  
-
hFE  
DC Current Gain  
*
-
VCE(sat)  
VBE(sat)  
*Pulse Test : Pulse Width⏊300ỌS, Duty Cycle⏊2.0%  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
*
0.5  
0.75  
V
V
Base-Emitter Saturation Voltage  
*
-
1997. 10. 21  
Revision No : 2  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA45(SOT-89) UTC

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 		Transistor
MPSA45(TO-92) UTC

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 		Transistor
MPSA45_15 UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MPSA45-18F CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
MPSA45-18RLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,
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 		Transistor
MPSA45APMLEADFREE CENTRAL

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