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MPSA42BK PDF预览

MPSA42BK

更新时间： 2024-11-03 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 晶体小信号双极晶体管高压IOT
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MPSA42BK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.6JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MPSA42BK 数据手册

 浏览型号MPSA42BK的Datasheet PDF文件第2页 
MPSA42 / MPSA43  
MPSA42 / MPSA43  
High voltage Si-epitaxial planar transistors  
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren  
NPN  
NPN  
Version 2005-06-17  
Power dissipation  
Verlustleistung  
625 mW  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
TO-92  
(10D3)  
E B C  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.18 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
2 x 2.54  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions / Maße [mm]  
Maximum ratings (TA = 25°C)  
Grenzwerte (TA = 25°C)  
MPSA42  
MPSA43  
200 V  
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung  
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung  
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung  
Power dissipation – Verlustleistung  
B open  
E open  
C open  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
Ptot  
IC  
300 V  
300 V  
200 V  
6 V  
625 mW 1)  
Collector current – Kollektorstrom (dc)  
Base current – Basisstrom  
500 mA  
IB  
100 mA  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-65...+150°C  
-65…+150°C  
Tj  
TS  
Characteristics (Tj = 25°C)  
Kennwerte (Tj = 25°C)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom  
IE = 0, VCB = 200 V  
IE = 0, VCB = 160 V  
MPSA42  
MPSA43  
ICB0  
ICB0  
–
–
–
–
100 nA  
100 nA  
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom  
IB = 0, VEB = 6 V  
IB = 0, VEB = 4 V  
MPSA42  
MPSA43  
IEB0  
IEB0  
–
–
–
–
100 nA  
100 nA  
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)  
MPSA42  
VCEsat  
VCEsat  
–
–
–
–
500 mV  
400 mV  
IC = 20 mA, IB = 2 mA  
MPSA43  
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
12

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与MPSA42BK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA42-BK DIOTEC

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 		High voltage Si-epitaxial planar transistors
MPSA42-BP MCC

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 		NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW
MPSA42C WEITRON

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MPSA42D FOSHAN

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 		TO-252
MPSA42-D11Z FAIRCHILD

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 		Transistor
MPSA42D26Z FAIRCHILD

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 		FAIRCHILD Small Signal Transistors
MPSA42D26Z TI

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 		200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42D27Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42D74Z TI

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 		200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42-D81Z FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor

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