MPSA42-BK

更新时间： 2024-11-03 10:48:47

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管高压
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描述
High voltage Si-epitaxial planar transistors

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MPSA42-BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.3	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MPSA42-BK 数据手册

MPSA42-BK

High voltage Si-epitaxial planar transistors

Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren

NPN

Version 2011-07-07

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

4.6^±0.1

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx.

Gewicht ca.

0.18 g

B C

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Special packaging bulk

Sonder-Lieferform Schüttgut

2 x 1.27

Dimensions / Maße [mm]

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MPSA42

300 V

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

I_C

300 V

6 V

625 mW ¹)

500 mA

100 mA

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Base current – Basisstrom

I_B

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

T_j

T_S

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

100 nA

500 mV

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, V_CB= 200 V

MPSA42

I_CB0

–

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_B= 0, V_EB= 6 V

MPSA42

I_EB0

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 20 mA, I_B= 2 mA MPSA42

V_CEsat

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSA42-BP	MCC	获取价格	NPN Silicon High Voltage Transistor 625mW
MPSA42C	WEITRON	获取价格	Transistor
MPSA42D	FOSHAN	获取价格	TO-252
MPSA42-D11Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
MPSA42D26Z	FAIRCHILD	获取价格	FAIRCHILD Small Signal Transistors
MPSA42D26Z	TI	获取价格	200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42D27Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42D74Z	TI	获取价格	200mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA42-D81Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
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